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GaN 基础知识总结

2023-06-05 20:25  斑鸠,一生。  阅读(799)  评论(0编辑  收藏  举报
1、简介 MOSFET与HEMT对比: MOSFET vs HEMT 导电沟道结构 Vertical Lateral 导电沟道类型 PN结 2DEG 工艺 Doping Heterostructure 热阻 基本相似 GaN 是未来电力电子设计的趋势,知名电源大厂也在抢夺高频市场。 由于GaN 是通