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IO电路其实就是指芯片的信号输入输出接口电路，其一般位于芯片版图的最外围。IO电路一般有以下几个功能： （1）实现电平转换 （2）提高驱动能力 （3）进行ESD保护 先说电平转换。芯片内部电路信号的高低电平和外部要求不一致时，这样通过IO电路可以实现电平的转换。 再说驱动能力。尤其是数字芯片，一个输 阅读全文
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（M1由关断到开启，肯定是先进入饱和区，因为这个临界点时，M1的Vds=VDDH>Vgs-Vth1=VDDL-Vth1，肯定是饱和区） M1的饱和区电流肯定先是大于M3的线性区电流，使得N点持续由VDDH放电到地，这个过程不能使得M1电流小于M3电流，否则N点下拉失败，OUT无法输出高电平VDDH。 阅读全文
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当输入很低时，输出为高，此时，NM41导通，将NM40的source terminal电压拉高，其body effect导致NM40的threshold voltage比正常情况要大，下拉路径更不容易导通，换句话说，Schmitt inverter的输入输出特性曲线trip point相比正常inv 阅读全文
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上电复位（POR）电路，其作用是保证在施加电源后，模拟和数字模块初始化至已知状态。基本上电复位（POR）功能会产生一个内部复位脉冲以避免"竞争"现象，并使器件保持静态，直至电源电压达到一个能保证正常工作的阈值。注意，此阈值电压不同于数据手册中给出的最小电源电压。一旦电源电压达到阈值电压，上电复位（P 阅读全文
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https://www.zhihu.com/tardis/zm/art/436933646?source_id=1005 https://weread.qq.com/web/reader/f3232330719cc1d8f327411k16732dc0161679091c5aeb1 阅读全文
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/Harroy/p/13467016.html ????//// 阅读全文
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低功耗小尺寸，在这个基础上可以用很多办法提高精度和分辨率。局限是采样率较低。 阅读全文
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在分析电路时把三极管的导通电压看作零，当输入电压较低时，因三极管截止而产生的失真称为交越失真。这种失真通常出现在通过零值处。与一般放大电路相同，消除交越失真的方法是设置合适的静态工作点，使得三极管在静态时微导通。 阅读全文
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Stb仿真：IPROB相当于一个大电感，dc时导通，交流截至，因此可以维持dc点的同时扫描开环特性。 ALLEN: 稳定性一律用闭环跑，开环没有意义。 stb在哪里插iprobe都可以，cadence也推荐用这个方法跑。 ac需要找个点断环加大电容大电感，这个点最好是高阻低电容，比如运放的输入，否则 阅读全文
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降低电源网络上的噪声，常见的结构如下图所示NMOS的G端接VDD而S端D端接VSS。这种由一个MOS管形成的decap，它的gate leakage性能PMOS要优于NMOS结构 根据栅漏电和瞬态响应折中，还要考虑ESD 阅读全文
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首先你要明白失调电压的来历，失调电压是由内部电路的失配造成的。输出失调，是输入为0，但是因为内部管子的失配，会在输出端产生一个压差。为了消除这个失调，要在输入端加上一个电压，使输出信号变成0，这样才是补偿了失调。同样的，等效的输入失调你可以理解为是输出的失调电压，除以了电路本身的增益，才得到了输入失 阅读全文
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判断零极点的方法： 如果将前级等效成戴维南等效电路，如果RC串联从中间输出，则存在一个极点，如果RC串联从R输出，则存在一个零点； 如果将前级等效成诺顿等效电路，如果RC并联输出，则存在一个极点，如果某条并联支路存在RC串联，则引入一个零点； 以上两种情况的零点一般都是RHZ，还有a56爆大奖在线娱乐情况就是前节所 阅读全文
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https://zhuanlan.zhihu.com/p/163378002 ESD小栈 阅读全文
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从(3)中可以看到，从D极的N型区->中间P型区->Sub极->S极，刚好构成了一个二极管结构，并且处于反偏状态，这就是MOS符号中并联了一个二极管的原因。 有的电池保护板，在锂电池过放后，会开启保护功能：关闭放电MOS。当插上充电器后，就利用MOS体二极管，使得电路导通，系统正常工作。 阅读全文
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PTAT电流是正比于温度的，这个电流会提供给运放的电流源，运放的GBW=gm/Cc,而运放的输入对管一般工作在亚阈值区，亚阈值区gm=ID/nVT,如果ID=PTAT,则上下相比抵消，GBW不受温度的影响。 阅读全文
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http://rt2innocence.net/integrated-circuit/understanding-the-bandgap-with-symmetric-current-voltage-mirror/ https://blog.eetop.cn/blog-757190-29501.ht 阅读全文